钨因有极低的溅射率和氚滞留率、较高的熔化温度和热导率以及优异的抗溅射腐蚀性能等特点，而成为聚变反应堆中面向等离子体材料的主要候选材料。而钼凭借着具有优异的耐高温性能、较高的强度和熔点、良好的导电导热性等特点，也成为了快中子反应堆、聚变堆、空间堆等新型核能系统的候选材料。但是这并不意味着它们不会受到核辐射的影响。长时间在核辐射环境中工作的钨和钼材料，不仅理化性能会变差，而且使用时间也会有所缩短。
分子动力学模拟实验显示：高密度氦团簇之间的相互作用会刺激被辐照的钨中<100>位错环的形成。<100>位错环的形成驱动力还归因于1/2<111>环变体长时间在高温辐射下的反应。而先前存在的位错线对位错环的大小，密度和Burgers向量具有深远的影响。此外，在离子辐照过程中，辐照引起的缺陷很可能会被薄箔的表面沉陷吸收，导致在表面附近形成裸露区域。辐照缺陷演化的原位观察将使人们对聚变反应堆中使用的钨的辐照损伤过程有一个更好的基本了解。
研究表明：随着氦通量的增加，钼中的位错环的体积数密度迅速增加，然后缓慢下降至饱和值，而位错环的平均尺寸连续增加直至达到上限，形成1/2<111>和<100>位错环。此外，现有的位错线将抑制位错环的形核和生长，而辐射诱导的位错环对位错线有很强的固定作用并阻碍其运动。而位错网络的形成是由预先存在的位错线和辐照引起的位错环的协同作用促进的。
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