美国宾夕法尼亚州立大学的科学家利用钨钼硫化物成功制备出了一种超薄的二维材料晶体管，将能大大提升未来芯片的性能。
根据摩尔定律，集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。这也就意味着半导体材料的改善对芯片性能的提升至关重要。随着晶体管特征尺寸的缩小，想要进一步提升芯片性能，就需要获得更小更薄的半导体材料。
当前使用的三维硅材料虽然有制作晶体管的60年左右的历史，但是其尺寸几乎已经达到了极致，很难满足未来的需求。因此，众多科学家都在新技术、新工艺、新材料等方面进行积极探索，发现二维材料有着先天的优势，它们的产生厚度能比目前实际应用的三维硅材料薄10倍。
研究者通过使用金属有机化学气相沉积技术制备了二维的单层二硫化钼和二硫化钨半导体材料，它们能用来制作新型的晶体管。为了验证新型二维晶体管的性能，科学家分析了与阈值电压、亚阈值斜率、最大与最小电流之比、场效应载流子迁移率、接触电阻、驱动电流和载流子饱和速度相关的统计指标。经过一系列的测试后证实了新晶体管的可行性，这意味着新型晶体管不仅能够让下一代芯片更快、更节能，还能够承受更多的数据存储和处理。
据了解，台积电5nm制程工艺已经量产，而3nm制程工艺将于今年进行试产，2022年量产。此外，有消息称台积电已经成功开发了2nm制程工艺，将在2023年上半年进行生产，并将在2024年开始批量生产。如果超薄二维材料晶体管进入应用阶段，那么1nm制程工艺想比也将很快实现。
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