二碲化钼纳米片的相位选择性

二碲化钼（MoTe2）是一种目前流行的过渡金属二氯化物，因为它具有异质性，包括金属、半导体和拓扑状态。许多研究小组目前都在关注二碲化钼纳米片的合成，以促进其在现代电子应用中进行设备集成。

最近发表在《先进材料界面》（Advanced Materials Interfaces）杂志上的一项研究侧重于利用模拟引导的化学气相沉积（CVD）技术大规模合成二碲化钼（MoTe2）纳米片。

过渡金属二钙化物（TMDs）因其非凡的特性而在2D材料中获得了很大的关注。与其他TMDs相比，二碲化钼由于其可调节的无定形相，特别是导电的1T'和半导电的2H相，引起了极大的关注。

1T'相，拥有正方体成分，是获得显著拓扑特征的前体步骤，作为单个和多层纳米片中原子自旋霍尔现象的承载体，具有特别的意义。另一方面，2H-MoTe2由于其微小的带隙、良好的吸收和低热导率，在纳米电子学中作为二维层状材料具有重要的前景。

因此，MoTe2被认为是研究具有各种相关应用的相变特征的杰出设计材料，如二维非挥发性存储设备。这是因为MoTe2纳米片的上述两个非晶态相之间的能量变化很小。

此外，由于MoTe2具有超高的移动性、光学透射率、薄型结构和耐化学性，因此在场效应设备、微电子和能源存储等应用方面是一个很有前途的选择。然而，大量的知识储备和可重复的生长策略对于将MoTe2从实验室推向可大规模制造领域是必要的。

化学气相沉积（CVD）生产二碲化钼纳米片。机械研磨、化学乳化和物理蒸气形成通常被用来制造多层TMD，如MoTe2。然而，这些方法由于其不准确的相位控制、粗糙度、不可预测的分布和不均匀性而有很大的缺点。

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