WO3的光催化性能主要取决于两个因素：光生电子-空穴对的迁移率和复合率。半导体的价带和导带的位置决定了光生电子-空穴对的迁移率，而半导体表面的官能团和缺陷对光生电子-空穴对的复合率会产生重要的影响。
与常用的光催化材料二氧化钛（TiO2）、氧化锌（ZnO）等相比，三氧化钨具有较小的禁带宽度和较大的光吸收范围，能更有效地利用可见光（可见光占了近50%的太阳辐射能量）。
此外，纳米黄色氧化钨的体积效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应显著。而且，WO3的制备工艺简单。
然而，不得不说的是，纯三氧化钨因存在易光腐蚀，对可见光利用率低等缺陷而很难获得稳定的光催化性能，因此，如何提高黄色氧化钨的光催化降解性能的研究具有重要意义。
有专家提出了一种具有操作简单易行、原料易得、成本较低、易于推广等特点的新型结构的WO3微纳米光催化材料的制备方法。
步骤一：将3mmNa2WO4•H2O2加入到50mL烧杯中，加入15mL去离子水溶解，磁力搅拌20min，得到均一透明的溶液；
步骤二：配制3m的稀HCl溶液，向所得透明溶液中滴加0.5mL的HCl溶液，磁力搅拌1h，制得淡黄色的沉淀物；
步骤三：将所得的淡黄色沉淀物用去离子水离心洗涤3次，离心转速为4000r/min，单次离心时间为10min；
步骤四：将步骤三所洗涤的沉淀物溶于15mL的质量分数为30%的H2O2中，磁力搅拌1h，制得均一透明的溶液；
步骤五：将该溶液转移至50mL聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中，放入恒温干燥箱中在160℃下水热反应12h，反应结束后，自然冷却至室温；
步骤六：将步骤五制得的沉淀先用去离子水洗涤3次，后用无水乙醇离心洗涤2次，其中，离心转速为4000r/min，单次离心时间为10min；
步骤七：将离心后的产物放入干燥箱（干燥温度设为80℃）中干燥24h，即可获得纳米WO3光催化材料。
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