二硒化钼薄膜如何生产？

作为一种典型的的过渡金属硫化物材料，二硒化钼（MoSe2）具有层状可调的宽带隙半导体相和零带隙金属相结构，所以在半导体电子器件、光电转换器件、催化和储能等领域具有广泛的应用前景。但是，如何生产大面积、均匀、连续、单一相结构的MoSe2薄膜仍是当前研究的难点。

目前，MoSe2薄膜的制备方法主要有机械剥离法、液相剥离法、分子束外延、水热法、化学气相沉积等。其中，化学气相沉积法被认为是当前制备大面积、高均一性和层数可控的MoSe2薄膜的最简单有效的方法，但是传统的化学沉积方法无法制备得到均匀、连续的薄膜，而且不易控制膜的厚度。

有鉴于此，有研究者提出了一种新的制备方法，即通过电子束蒸发技术制备了钼金属薄膜，然后在超高真空条件下，采用热蒸镀硒粉对预沉积的钼金属薄膜进行硒化反应，即可得到厚度均匀、大面积及层数可控的二硒化钼薄膜。

研究表明，新方法制备的MoSe2薄膜的厚度主要取决于预沉积钼薄膜的厚度；硒源温度间接决定了与钼反应的硒的蒸发粒子的数量，随着温度的升高，与钼进行反应的硒原子数目不断增加；反应温度和时间对MoSe2薄膜质量的影响很大，比如相结构不单一、化学稳定性较弱和结晶质量较差等。

作为晶体管器件的重要材料，二硒化钼薄膜的结晶质量直接影响器件的电学性能。当薄膜的结晶质量较低时，薄膜内部晶粒尺寸较小，晶界较多，载流子移动速度较慢，因而载流子迁移率也会降低；当薄膜的结晶质量较高时，薄膜内部晶粒尺寸较大，晶界减少，载流子迁移率较高，进而使器件性能较好。

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