纳米二硒化钨 将被用于研发柔性电子器件

自从2004年英国的两位科学家安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃消洛夫成功地从石墨片上切下了一个原子厚的石墨烯层以来，这种具有出色的强度，灵活性和导电的超级材料引发了电子工业的变革，并为研究人员赢得了诺贝尔奖。

石墨烯被称为“新材料之王”，但石墨烯也有其局限性。这是一种糟糕的半导体，因为它的内部结构没有电子带隙。结果，当材料通电时，电子不受阻碍并迅速流过，不能关断。但是现有的主流半导体材料硅，它具有相当大的带隙，可以使电子流动开启和关闭。这种能力对于创建零串和组成晶体管和集成电路中使用的二进制计算代码的串是非常重要的，但石墨烯做不到。

随着研究的深入，科学家们开始对其它元素的原子级薄材料产生兴趣。二维过渡金属材料就是研究的重点区域之一。近来，美国康涅狄格大学的一个材料科学家团队通过特殊的方法拉伸纳米二硒化钨以提高其性能，这项研究成果将证明纳米二硒化钨在柔性电子设备、光学传感器可以得到应用......

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