电子封装材料用钨铜合金

钨铜合金（W-Cu合金）是一种兼有无机金属钨与铜优点的合金。具体来说，其既有金属钨的高熔点、大密度和低膨胀系数的特点，又有金属铜的良好导电导热特性，所以常作为微电子封装材料。

值得注意的是，W-Cu合金的热膨胀系数和导热导电系数都可以通过调整钨铜的成分来加以改变，以使之与芯片的热膨胀系数更匹配。此外，该合金的表面粗糙度和平面度也会严重影响芯片的质量。一般而言，合金的外观质量越高，对芯片的性能提高越有利。

钨铜合金常见的生产方法

（1）粉末冶金法：工艺流程为制粉——配料混合——压制成型——烧结溶渗——冷加工。特点是产品均匀性不好，存在较多空隙，致密度低于98%，操作繁琐，生产效率低，难以批量生产。

（2）注模法：其是将镍粉、铜钨粉或铁粉与钨粉混合，再加入有机粘结合剂注模，后用蒸汽清洗和照射法去除粘合剂，在氢气中烧结，即可获得高密度产品。

（3）氧化铜粉法：氧化铜粉还原制得铜，后将铜在烧结压坯中形成连续的基体，钨则作为强化构架，再将混合粉末在较低温度的湿氢气中烧结，即可得到产物。

（4）钨骨架熔渗法：先将钨粉压制成型，幷烧结成具有一定孔隙度的钨骨架，然后熔渗铜即可。此法适用于低铜含量的钨铜产品的制备，且产品存在致密度偏低，导电导热性能满足不了要求的缺点。

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