英特尔推出10nm技术 钴电阻层将代替钨

近些日子，英特尔可谓坐如针毡。自从AMD发布Rzen系列处理器后，凭借先进的多核架构和出色的综合性能，AMD从Intel那抢回了不少的市场份额。面对竞争对手的追赶和升级，牙膏厂再也不敢挤牙膏了，把许多压箱底的技术都祭了出来。

在去年12月在旧金山举办的IEEE国际电子设备大会（IEDM）上，英特尔展示了它们的下一代10纳米芯片制程，首次在1平方毫米的芯片面积中封装了1亿个晶体管 ，据称这是迄今为止最密集的CMOS晶体管密度 ，并且性能有所提高。

果真是有对比就有伤害。英特尔终于坐不住了。在14纳米技术推出市场三年后终于满怀诚意地挤出了一大管牙膏，还送了把牙刷。据了解，英特尔未来的处理器不仅是处理速度的升级，其核芯显示处理器GPU性能也将大幅提升，不再像以前那样鸡肋吧，也许偶尔还能吃一下鸡。

那么这又和钨有什么关系呢？

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