钨钼新材料再发威 新型内存比U盘快一万倍

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，资料的存储时间也可以自行决定，到了有效期后即自动消失。这也解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

这种新型的内存晶体管采用了二硫化钼、二硒化钨，二硫化铪这三种单层二维纳米过渡金属材料。

目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了......

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