国产3D NAND闪存芯片量产 也需要战略资源钨

4月11日，位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。

3D NAND 闪存芯片为何物?其实它就是我们通常所说的大规模集成电路芯片，这种芯片技术目前主要用于制造固态硬盘，与此相通的技术还可用于制造电脑内存，目前国家扶持的几家大型半导体科技公司也正在加紧实现DDR 4代内存的量产。

一直以来，3D NAND Flash芯片一直被三星，东芝、镁光等韩日美国家的企业所垄断，技术最先进的是三星，我国在该类领域技术落后，国产芯片在市场没有任有发言权。随着下游大数据、物联网、云计等产业的快速发展，集成电路的需求量越来越大。我国是全球半导体需求量最大的地区，占比超过50%，然而我国的集成电路产品尤其是存储芯片却几乎完全依赖于进口，必须自主才能避免受制于人。

因此，半导体集成电路是国家最为重视的核心产业之一，决定着国家2025制造未来产业升级步伐速度。也是美欧日韩等国家对中国重点遏制的产业。因此，即便是落后很多，但仍不能停止追赶的步伐。近年来我国不断推出产业政策并提供资金以支持半导体产业的发展，相关企业市场竞争力显著提升。

这其中，钨也是大规模集成电路产业不可或缺的重要的材料之一......

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